具有形成于脊上的选择性晶体管的集成半导体存储器

摘要

一种具有形成于脊上的选择性晶体管的集成半导体存储器(10)被揭露，在每个实例中其选择性晶体管(3)形成于一脊(4)上，在每个实例中该脊被设置在一绝缘层(11)上，第一源极/漏极区域(5)则设置在该脊的一侧向终端(A)的该绝缘层(11)上，且第二源极/漏极区域(6)设置在该脊(4)的另一侧向终端(B)的该绝缘层(11)上，以及该脊(4)的两个纵向侧(14)与该脊(4)的顶侧(15)以包含栅极介电层(9)与栅电极(16)的层次序而被覆盖。由此种设计，在该选择性晶体管(3)开着的状态下，可达到非常高的写-读电流，而在关掉的状态下，则可降低漏电流的发生。