InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品

摘要

一种InAs/InSb/GaSb/InSb II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80‑100个周期的InAs/InSb/GaSb/InSb结构的材料。本发明不需要任何元素浸泡过程，且通过插入InSb层而不是通过形成InSb界面来补偿应变，从而可以降低InAs/GaSb II类超晶格材料MBE外延生长的复杂度；插入型InSb层可精确控制InSb生长厚度，没有元素浸泡过程可以降低V族元素腔内残留，减少InAs层生长时Sb原子的掺入，以及InSb和GaSb层生长时As原子的掺入。