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经由内插推断与存储器单元相关的阈值电压分布

摘要

本发明包含用于经由内插推断与存储器单元相关的阈值电压分布的设备及方法。多个实施例包含确定各自编程为多个数据状态中的一者的一组存储器单元的软数据,其中所述软数据包括多个不同软数据值;确定与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的数量;以及使用与所述不同软数据值中的每一者相关的存储器单元的所述经确定数量经由内插过程推断与所述组存储器单元相关的阈值电压分布的至少一部分。

著录项

  • 公开/公告号CN104662612B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201380049036.2

  • 发明设计人 沈震雷;威廉·H·拉德克;

    申请日2013-08-29

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人路勇

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2022-08-23 10:04:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-22

    授权

    授权

  • 2015-06-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/34 申请日:20130829

    实质审查的生效

  • 2015-05-27

    公开

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