首页> 中国专利> 消除串联电阻影响且与反向饱和电流无关PN结测温方法

消除串联电阻影响且与反向饱和电流无关PN结测温方法

页面导航

摘要

本发明根据P‑N结的物理特性，提出了一种可消除串联电阻影响且与反向饱和电流无关的PN结测温方法，利用两个压控电流源以及四个采样保持器S/H1‑1、S/H1‑2、S/H2‑1、S/H2‑2，根据时序，首先得到与串联电阻无关的V

1. 消除串联电阻影响且与反向饱和电流无关PN结测温方法 [P] . 中国专利： CN104820179B . 2017.11.03
2. 一种PN结测温方法、系统及计算机可读存储介质 [P] . 中国专利： CN113588106A . 2021-11-02
3. Integrated semiconductor circuit has n-type independent resistance layer and p-type resistance layer, between which PN junction is formed during reverse bias condition [P] . 德国专利： DE10034845A1 . 2001-05-31

机译：集成半导体电路具有n型独立电阻层和p型电阻层，在反向偏置条件下在它们之间形成PN结
4. Infrared detector circuit having a resistor series connected to the detector to limit the current across the pn junction of the FET [P] . 美国专利： US4906834A . 1990-03-06

机译：红外检测器电路，其电阻器串联到检测器，以限制流经FET pn结的电流
5. Multistable circuit containing parallel bistable circuits - having single inverted NPN transistor each in series with LED and resistor [P] . NL8304216A . 1985-07-01

机译：包含并联双稳态电路的多稳态电路-具有单个反向NPN晶体管，每个晶体管与LED和电阻串联