用于垂直NAND器件的新型掩模去除方法策略

摘要

公开了一种用于从半导体衬底去除经掺杂的无定形碳掩模的方法。该方法包括生成待在处理衬底中使用的等离子体，其中等离子体包括含氧气体、含卤素气体和含氢气体；以及通过将衬底暴露于等离子体来对衬底进行处理。经掺杂的无定形碳掩模可以为掺杂硼的无定形碳掩模或掺杂氮的无定形碳掩模。该方法能够产生在约1000埃/分钟至约12000埃/分钟范围内的掩模去除速率。此外，在等离子体处理之前、在等离子处理之后或者在等离子体处理之前并且在等离子处理之后，可以将气体施加至衬底以减少在衬底膜中发现的缺陷或针孔的数量。