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半导体发光器件双异质结构及发光二极管

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半导体发光器件双异质结构及发光二极管，双异质结构依次由n型铝镓氮层、铟镓氮有源层、n型铝镓氮层组成，发光二极管由衬底、缓冲层、n型氮化镓层、双异质结构、p型氮化镓层组成，本发明具有方法较为简单，生产的发光二极管发光效率高等特点。

著录项

公开/公告号CN1253947C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-04-26

原文格式PDF
申请/专利权人江西方大福科信息材料有限公司;
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申请/专利号CN01122276.X
发明设计人江风益;王立;莫春兰;李述体;熊传兵;彭学新;李鹏;
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申请日2001-07-05
分类号H01L33/00(20060101);
代理机构36100 江西省专利事务所;
代理人胡里程
地址 330029 江西省南昌市高新技术开发区
入库时间 2022-08-23 08:58:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-03-30

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20060426 终止日期:20090805 申请日:20010705

专利权的终止
2011-03-30

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20060426 终止日期:20090805 申请日:20010705

专利权的终止
2007-10-10

专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20070831 申请日:20010705

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2007-10-10

专利申请权、专利权的转移专利权的转移登记生效日:20070831 变更前: 变更后: 申请日:20010705

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2007-10-10

专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20070831 申请日:20010705

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2006-06-14

专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20060512 申请日:20010705

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2006-06-14

专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20060512 申请日:20010705

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2006-06-14

专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20060512 申请日:20010705

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2006-04-26

授权

授权
2006-04-26

授权

授权
2004-07-28

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-07-28

实质审查的生效

实质审查的生效
2003-02-05

公开

公开
2003-02-05

公开

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