公开/公告号CN104425248B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡华润上华科技有限公司;
申请/专利号CN201310382900.2
申请日2013-08-28
分类号H01L21/331(20060101);
代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人邓云鹏
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
入库时间 2022-08-23 10:02:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-27
授权
授权
2017-10-17
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/331 登记生效日:20170925 变更前: 变更后: 申请日:20130828
专利申请权、专利权的转移
2017-10-17
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/331 登记生效日:20170925 变更前: 变更后: 申请日:20130828
专利申请权、专利权的转移
2015-04-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20130828
实质审查的生效
2015-04-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20130828
实质审查的生效
2015-04-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20130828
实质审查的生效
2015-03-18
公开
公开
2015-03-18
公开
公开
2015-03-18
公开
公开
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机译: p型掺杂半导体衬底的铝p型掺杂表面区域的形成方法
机译: 用于MOSFET的半导体结构,具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱,其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。
机译: 衬底,即P型硅衬底,一种用于形成光伏电池的实现方法,涉及实现扩散热处理以形成分别从掺杂剂源掺杂的第一和第二体积。