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集成电路的可靠性分析测试结构及其测试方法

摘要

本发明揭示了一种集成电路的可靠性分析测试结构,该测试结构包括:衬底、第一栅极结构、第一金属线结构、第二栅极结构、第二金属线结构以及电介质。本发明还揭示了该测试结构的测试方法,包括:根据所述的测试结构实际形成待测试结构;测试所述第一金属线结构和第二金属线结构之间的电学可靠性。在本发明的测试结构中,所述第一栅极结构与第二栅极结构平行排列,并横跨所述有源区和隔离区上,能准确评估有源区上的通孔与相邻栅极之间电介质的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN104465616B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201310435704.7

  • 发明设计人 钟怡;

    申请日2013-09-23

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 10:02:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-27

    授权

    授权

  • 2015-04-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20130923

    实质审查的生效

  • 2015-04-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20130923

    实质审查的生效

  • 2015-03-25

    公开

    公开

  • 2015-03-25

    公开

    公开

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