法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-17
授权
授权
2015-11-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/792 申请日:20140116
实质审查的生效
2015-11-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/792 申请日:20140116
实质审查的生效
2015-10-07
公开
公开
2015-10-07
公开
公开
机译: 在沟槽中具有电荷俘获层的双向非易失性存储单元以及这种存储单元的阵列及其制造方法
机译: 电荷俘获层,形成电荷俘获层的方法,使用该电荷俘获层的非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法
机译: 制造在沟槽中具有俘获电荷层的非易失性存储单元和阵列的方法