弛豫、低缺陷绝缘体上SiGe及其制造方法

摘要

本发明给出了形成基本上弛豫和低缺陷SGOI衬底材料的热混合方法。本方法包括一个形成图案的步骤，它被用来形成这样一种结构，该结构至少包括在抵抗Ge扩散的阻挡层顶上形成的SiGe岛，使SiGe层形成岛以这样一种方式改变了作用在每一条岛边缘的局部力，使得弛豫力大于反抗弛豫的力。在形成图案的层边缘上恢复力的短缺允许最终SiGe薄膜比起连续薄膜要进一步弛豫。