退火对SiGe弛豫衬底热稳定性的影响

摘要

采用低温Ge缓冲层技术制备出SiGe虚衬底结构，研究常规退火对其热稳定性的影响.当退火温度为600℃时，我们可以获得弛豫度为98％的虚衬底结构，而SiGe合金层的组分不变.当退火温度达到800℃时，底层的低温锗(LT-Ge)与上层的SiGe合金发生互扩散。当退火温度为1000℃时，Ge层融化变为液体，底层的Si层会向LT-Ge层扩散，并在界面处形成一层100nm厚且Ge组分较大的SiGe合金层。我们发现，Ge在SiGe合金和Si中的扩散系数会随退火温度的升高而变化;不同的扩散系数会引起SiGe弛豫衬底热稳定性的变化.