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半导体器件SEU翻转概率的数值模拟方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件SEU翻转概率的数值模拟方法,本发明通过SEU替代模型把SEU问题中基本变量的维度高且离散问题转化为一维较连续的问题,进而在此基础上使用改进的MCMC子集抽样方法模拟出SEU的小翻转概率;且在子集抽样方法的中间失效事件的阈值选择上采用改进的自适应方法,减少中间失效事件的条件概率计算误差,以利于能够高效地得出半导体器件的SEU翻转概率。本发明适用于半导体器件SEU数值模拟以及半导体器件小概率事件的数值模拟。

著录项

  • 公开/公告号CN104731638B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州珂晶达电子有限公司;

    申请/专利号CN201510102446.X

  • 发明设计人 沈忱;贡顶;郑丽桑;崔绍春;

    申请日2015-03-09

  • 分类号

  • 代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人吴树山

  • 地址 215021 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号二期C102-1

  • 入库时间 2022-08-23 10:01:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-24

    授权

    授权

  • 2015-07-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 9/455 申请日:20150309

    实质审查的生效

  • 2015-07-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 9/455 申请日:20150309

    实质审查的生效

  • 2015-06-24

    公开

    公开

  • 2015-06-24

    公开

    公开

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