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一种新型的集成单体芯片三轴磁敏传感器

摘要

本发明涉及一种新型的单体芯片集成的三轴磁敏传感器。由于目前已有技术仅可做到磁敏传感器的三维封装集成,然而,真正意义上的在工艺中实现的单体芯片集成方法尚在探索之中。本发明将具有几何增强效应的硅基磁敏单元与磁电子敏感单元与信号处理电路集成在同一张硅片上,实现了三轴磁敏传感器的单体芯片集成,其中几何增强效应的硅基磁敏单元具有垂直方向磁敏感特性,两对面内正交排列的磁电子敏感单元具有面内磁敏感特性。本发明可避免生长垂直薄膜或者垂直封装集成的技术难题,且与微电子工艺具有很好的兼容性,器件体积小、灵敏度高。

著录项

  • 公开/公告号CN104297705B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN201410513269.X

  • 发明设计人 白茹;钱正洪;朱华辰;

    申请日2014-09-29

  • 分类号

  • 代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人杜军

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

  • 入库时间 2022-08-23 10:01:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-13

    授权

    授权

  • 2015-02-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/09 申请日:20140929

    实质审查的生效

  • 2015-02-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/09 申请日:20140929

    实质审查的生效

  • 2015-01-21

    公开

    公开

  • 2015-01-21

    公开

    公开

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