砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅锁相环电路

摘要

本发明的GaAs基低漏电流双固支梁开关双栅HEMT锁相环电路，由GaAs衬底，增强型HEMT，外接的低通滤波器，压控振荡器，高频扼流圈构成。固支梁开关通过直流偏置控制，下拉电压设计为HEMT的阈值电压。当两个固支梁开关均悬浮断开时，栅电压为0，HEMT截止，有利于减小栅极漏电流。当两个固支梁开关均通过直流偏置下拉闭合时，栅电压即为直流偏置，形成二维电子气沟道，HEMT导通，参考信号和反馈信号通过HEMT相乘。漏极输出信号经低通滤波器和压控振荡器循环反馈后，达到锁定。只有一个固支梁开关下拉闭合时，可实现对单个信号的放大，电路具有多功能。本发明提高效率，降低功耗，体积更小，且实现多功能。