手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析

摘要

采用GaAs 75mm0.7μm离子注入场效应晶体管（MESFET）标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷（DPDT）单片射频开关（以下简称单片开关。成品率分析表明，影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括：材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、控槽控制及圆片沾污等。优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右，微波成品率稳定在80%左右，接近国际上坤化镓标准加工线的水平。