一种自对准金属氧化物薄膜晶体管器件的制造方法

摘要

本发明适用于电子器件技术领域，提供了一种自对准金属氧化物薄膜晶体管器件的制造方法，该方法包括：在衬底上制备半导体金属氧化物层、栅绝缘层及栅金属层；去除部分栅绝缘层及栅金属层；在半导体金属氧化物层、栅绝缘层及栅金属层之外设置绝缘薄膜；去除部分绝缘薄膜，保留至少包覆于栅绝缘层侧面的部分形成栅极侧墙；将半导体金属氧化物层未被栅绝缘层覆盖的部分转化为源极和漏极导体，使源极导体和漏极导体的内边缘与栅金属层的外边缘对准。本发明通过氢化或等离子体过程将部分半导体金属氧化物层转化为源、漏极导体，减小了源、漏极导体的接触电阻，并由于栅极侧墙的存在，避免源、漏极与栅极的重叠而产生寄生电容，提高了器件的性能。