一种垂直无籽晶化学气相法生长ZnO单晶的方法

摘要

本发明公开了一种垂直无籽晶化学气相法生长ZnO单晶的方法，主要由籽晶生长和单晶生长两个步骤组成。通过对管式炉内的温场及石英安瓿结构的优化来实现对晶体自发成核的控制，在籽晶生长阶段利用晶粒间的几何淘汰，显露出生长快的晶面，有效的提高了单晶生长速率。该发明较好的解决了化学气相法生长的ZnO单晶尺寸小、结晶度差等困难。采用该方法生长出的单晶尺寸较大，质量较高，且成本较低，操作简便，实用性强，是一种较好的优质ZnO单晶生长工艺。