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半导体器件、电子电路以及用于切换高电压的方法

摘要

公开了一种半导体器件、电子电路和方法。半导体器件包括半导体主体;至少一个晶体管单元,包括源极区、漂移区、将源极区与漂移区分开的主体区、以及在半导体主体中的漏极区、以及由栅极电介质与主体区介电绝缘的栅极电极;源极节点,连接至源极区和主体区;接触节点,与主体区和漏极区间隔开,以及电连接至漏极区;以及整流器元件,在接触节点和源极节点之间形成。

著录项

  • 公开/公告号CN104347620B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;

    申请/专利号CN201410392089.0

  • 发明设计人 J·韦耶斯;F·希尔勒;A·毛德;

    申请日2014-08-11

  • 分类号

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 奥地利菲拉赫

  • 入库时间 2022-08-23 10:00:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-22

    授权

    授权

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20140811

    实质审查的生效

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20140811

    实质审查的生效

  • 2015-02-11

    公开

    公开

  • 2015-02-11

    公开

    公开

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