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高电压半导体开关以及用于切换高电压的方法

摘要

提供一种高电压半导体开关以及用于切换高电压的方法。一种高电压半导体开关,包括第一场效应晶体管,其具有源极、漏极和栅极,并且适于以额定高电压水平切换电压,该第一场效应晶体管是常关断型增强模式晶体管;第二场效应晶体管,其有源极、漏极和栅极,其与该第一场效应晶体管串联连接,该第二场效应晶体管是常导通型耗尽模式晶体管;以及控制单元,其连接至该第一场效应晶体管的漏极和该第二场效应晶体管的栅极,并且可操作用于在跨第一场效应晶体管的漏极‑源极电压超过额定高电压水平的情况下阻断该第二场效应晶体管。

著录项

  • 公开/公告号CN104347619B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;

    申请/专利号CN201410389868.5

  • 发明设计人 J·韦耶斯;F·希尔勒;A·毛德;

    申请日2014-08-08

  • 分类号H01L27/02(20060101);H03K17/567(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 奥地利菲拉赫

  • 入库时间 2022-08-23 10:01:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-08

    授权

    授权

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20140808

    实质审查的生效

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20140808

    实质审查的生效

  • 2015-02-11

    公开

    公开

  • 2015-02-11

    公开

    公开

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