具有纳米线的光电子半导体结构以及制造这种结构的方法

摘要

本发明涉及一种光电子半导体结构(100)，所述光电子半导体结构(100)包括：包括第一表面(111)的半导体基底(110)、成核层(120)和与所述成核层接触的纳米线(160)，所述成核层(120)由禁能带高于5eV的宽禁带半导体形成。所述成核层(120)覆盖所述第一表面(111)的被称为成核部分的部分，所述第一表面(111)的不被所述成核层(120)覆盖的部分(114)被称为自由部分。所述结构还包括与所述基底(110)的自由部分(114)接触的导电层(141)，所述导电层还围绕所述纳米线(160)的外周与所述纳米线接触。本发明还涉及这种结构(100)的制造方法。