深槽隔离防串扰的光电探测器及其制作方法

摘要

一种深槽隔离防串扰的光电探测器，包括由P型扩散层、衬底层和N型扩散层依次层叠而成的P‑i‑N层状结构，所述P‑i‑N层状结构上设置有隔离区，所述隔离区将P‑i‑N层状结构的光敏面划分为多个象限，其特征在于：所述隔离区采用如下结构实现：在P‑i‑N层状结构的光敏面上制作深槽，深槽的横截面轮廓与多个象限的外轮廓匹配，深槽的轴向与P‑i‑N层状结构的层叠方向相同，深槽的深度达到N型扩散层上端面，深槽内填充有绝缘物质。本发明的有益技术效果是：实现了对象限光电探测器各象限的有效隔离，减少了光电探测器耗尽层的面积，减小了内部的结电容面积，减小了RC时间常数，提高了器件的响应速度，深槽位于象限光电探测器的体内，避免了表面态缺陷对器件的影响。