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体钝化的晶体硅太阳能电池及其体钝化方法

摘要

本发明提供了一种用于体钝化晶体硅太阳能电池的方法,该晶体硅太阳能电池包括半导体结构以及分别位于该半导体结构的正反两面的钝化层,该半导体结构包括硼掺杂区域,该方法包括为该硼掺杂区域提供氢;在第一温度下对该晶体硅太阳能电池进行光注入达第一预定时段;以及在第二温度下对该晶体硅太阳能电池进行光注入达第二预定时段,其中该第二温度低于该第一温度。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-02

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/0352 变更前: 变更后: 申请日:20150119

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2018-02-02

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/0352 变更前: 变更后: 申请日:20150119

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2017-08-04

    授权

    授权

  • 2017-08-04

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20150119

    实质审查的生效

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20150119

    实质审查的生效

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20150119

    实质审查的生效

  • 2015-05-06

    公开

    公开

  • 2015-05-06

    公开

    公开

  • 2015-05-06

    公开

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