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拉晶机和其所用的热屏蔽装置

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摘要

一种拉晶机用的热屏蔽装置，其具有一内反射罩和一外反射罩。内外反射罩相互间隔开并具有减小的相互接触的表面积。一生长单晶棒的改善了的热屏蔽减少其缺陷并且可以使由拉晶机生产的单晶棒有较大的产量。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-03-23

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/14 授权公告日:20060322 终止日期:20150202 申请日:20000202

专利权的终止
2006-03-22

授权

授权
2002-03-20

公开

公开
2002-03-13

实质审查的生效

实质审查的生效

1. 拉晶机和其所用的热屏蔽装置 [P] . 中国专利： CN1246506C . 2006.03.22
2. 用于拉晶机的热屏蔽组件 [P] . 中国专利： CN1608147A . 2005-04-20
3. HEAT SHIELD FOR GROWING A SINGLE CRYSTAL INGOT, A SINGLE CRYSTAL INGOT GROWING DEVICE, AND A METHOD FOR REMOVING THE CONTAMINATION OF THE HEAT SHIELD [P] . 韩国专利： KR20120107192A . 2012-10-02

机译：用于生长单晶锭的热屏蔽罩，用于单个晶锭的生长装置的热屏蔽罩以及用于去除热屏蔽罩的污染的方法
4. SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS, SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS AND SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING METHOD [P] . 日本专利： JP2007008737A . 2007-01-18

机译：单晶拉晶装置，硅单晶拉晶装置及硅单晶拉晶方法
5. Single crystalline ingot growing apparatus includes thermal shield with first shielding part installed between ingot and crucible, and second and third shielding parts connected to upper and lower parts of first shielding part, respectively [P] . 德国专利： DE10157453A1 . 2003-09-11

机译：单晶锭生长设备包括：热屏蔽，其第一屏蔽部分安装在晶锭和坩埚之间;以及第二和第三屏蔽部分，分别连接到第一屏蔽部分的上部和下部。