法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-20
授权
授权
2015-07-01
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20150308
实质审查的生效
2015-06-03
公开
公开
机译: 包含具有过渡金属缓冲层的纳米线的电子器件,用于生长至少一根纳米线的方法以及用于制造器件的方法
机译: 包含具有过渡金属缓冲层的纳米线的电子器件,用于生长至少一根纳米线的方法以及用于制造器件的方法
机译: 氮化硼膜包覆纳米结构的方法,氮化硼膜形成半导体纳米线的方法以及氮化硼膜涂覆半导体纳米线的方法