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一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法

摘要

本发明涉及一种单根纳米线或阵列式纳米线的生长制备方法,其为将模板法和微加工技术结合起来,先制备母板,然后通过电化学氧化法,在铝或铝合金表面形成具有各种孔径及孔深的氧化铝母板;然后利用微加工技术将所需位置的障壁层刻透,形成所需形状、大小、位置的纳米通道;最后按照常规的薄膜制备方法,向纳米通道内填充或沉积各种材料,得到单根纳米线或纳米线点阵。该方法可以制得直径1~1000nm,长度0.1nm~100μm的纳米线。本发明的优异之处在于可精确控制单根纳米线或纳米线点阵数量、大小、形状、空间分布,从而实现纳米线和纳米点用于实际纳米器件和高密度垂直磁记录介质时性能的可控调制。

著录项

  • 公开/公告号CN101049905A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-10-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN200610072720.4

  • 申请日2006-04-07

  • 分类号B82B3/00(20060101);

  • 代理机构11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司;

  • 代理人高存秀

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2023-12-17 19:11:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B82B3/00 公开日:20071010 申请日:20060407

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2007-12-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-10-10

    公开

    公开

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