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包括氮化物基半导体全方向反射器的发光装置

摘要

本申请公开了一种包括氮化物基半导体全方向反射器的发光装置。该发光装置包括氮化物基反射器和置于所述氮化物基反射器上的发光单元。所述氮化物基反射器包括交替层叠的未掺杂氮化物半导体层和重度掺杂氮化物半导体层。在所述重度掺杂氮化物半导体层的边缘处对其进行蚀刻,以在相邻的未掺杂氮化物半导体层之间形成空气层。

著录项

  • 公开/公告号CN103325904B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201310080154.1

  • 发明设计人 黄京旭;朴成恩;郑薰在;

    申请日2013-03-13

  • 分类号

  • 代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈源

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:57:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-16

    授权

    授权

  • 2015-02-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/10 申请日:20130313

    实质审查的生效

  • 2013-09-25

    公开

    公开

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