法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-16
授权
授权
2015-02-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/10 申请日:20130313
实质审查的生效
2013-09-25
公开
公开
机译: 包括氮化物基半导体全向反射器的发光装置
机译: 氮化物基半导体发光器件,氮化物基半导体激光器件,氮化物基半导体发光二极管,其制造方法以及形成氮化物基半导体层的方法
机译: 用作照明二极管的发光氮化物装置包括基板,形成在基板上的第一氮化物半导体叠层,发光氮化物层和第二氮化物半导体叠层