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用于增加原子层沉积前驱体数量的方法

摘要

本发明公开一种用于增加原子层沉积前驱体数量的方法,其包括将衬底基片进行表面处理;将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中;将载气通入不同反应物瓶内,通过载气带出的反应物在溶剂瓶内进行反应,而生成前驱体;将前驱体输送到原子层沉积反应腔中进行薄膜的沉积。本发明提供的用于增加原子层沉积前驱体数量的方法采用不同反应物通过载气输运到溶剂瓶中发生化学反应来生成前驱体的方法,可以在满足ALD沉积条件的同时,增加ALD沉积技术的前驱体范围。

著录项

  • 公开/公告号CN103866278B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201210532057.7

  • 发明设计人 卢维尔;夏洋;李超波;石莎莉;

    申请日2012-12-11

  • 分类号

  • 代理机构北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人刘丽君

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

  • 入库时间 2022-08-23 09:57:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-20

    授权

    授权

  • 2014-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/44 申请日:20121211

    实质审查的生效

  • 2014-06-18

    公开

    公开

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