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一种具有异质结构的BiOBr/Bi

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一种具有异质结构的BiOBr/Bi

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-07-23

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B01J 27/132 授权公告日:20170623 终止日期:20180805 申请日:20150805

专利权的终止
2017-06-23

授权

授权
2017-06-23

授权

授权
2015-12-23

实质审查的生效 IPC(主分类):B01J27/132 申请日:20150805

实质审查的生效
2015-12-23

实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 27/132 申请日:20150805

实质审查的生效
2015-11-25

公开

公开
2015-11-25

公开

公开

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1. 一种具有异质结构的BiOBr/Bi [P] . 中国专利： CN105080579B . 2017.06.23
2. 一种Bi2O2SiO3/Bi2O3/BiOBr异质复合光材料的制备方法 [P] . 中国专利： CN110252341B . 2021.11.16
3. METHOD OF OBTAINING HETEROSTRUCTURE, GLASS ENRICHED WITH Si/δ*-Bi₂O₃/GLASS ENRICHED WITH Bi, IN SYSTEM Bi₂O₃-SiO₂ [P] . 俄罗斯专利： RU2693062C1 . 2019-07-01

机译：在Bi _{2 O <系统中获得Si /δ* -Bi _{2 O _{3 / Bi富含玻璃的异质结构Sub> 3 -SiO ₂}}}
4. METHOD OF PRODUCING CONTROLLED GLASS/δ*-Bi₂O₃+Bi₂SiO₅ HETEROSTRUCTURE IN SYSTEM Bi₂O₃-SiO₂ (VERSIONS) [P] . 俄罗斯专利： RU2691334C1 . 2019-06-11

机译：在Bi系统中制备受控玻璃/δ* -Bi _{2 O _{3 + Bi _{2 SiO _{5 异质结构的方法_{2 O _{3 -SiO _{2 （版本）}}}}}}}
5. METHOD FOR MANUFACTURING HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING FIN-HFET BASED ON HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE, AND FIN-HFET BASED ON HETEROJUNCTION FIN STRUCTURE [P] . 韩国专利： KR101592513B1 . 2016-02-05

机译：制造异质结鳍片结构的方法，具有异质结鳍片结构的半导体器件，基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET