具有化合物半导体与元素半导体的单片式异质集成的结构

摘要

一种半导体结构，具有：化合物半导体（CS）器件，形成于结构的化合物半导体中；和元素半导体器件，形成于结构的元素半导体层中。所述结构包括具有元素半导体器件的层，布置在掩埋氧化物（BOX）层上。选择性蚀刻层布置在BOX层与用于化合物半导体器件的层之间。选择性蚀刻层实现了BOX层的选择性蚀刻，从而实现了对生长在蚀刻窗口中的化合物半导体器件的纵向和横向窗口蚀刻过程的最大程度的控制。选择性蚀刻层的蚀刻速率低于BOX层的蚀刻速率。