包括精细图案的半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体基板中形成有源线；形成大体横过有源线的接触线；形成大体横过有源线和接触线的线形蚀刻掩模图案；蚀刻被线形蚀刻掩模图案暴露的接触线以形成接触分离凹槽并形成大体保留在线形蚀刻掩模图案与有源线之间的交叉处的接触图案；蚀刻被接触分离凹槽暴露的有源线以形成有源分离凹槽，该有源分离凹槽将每个有源线大体分成多个有源图案；形成与有源图案实质上相交的栅极；以及形成电连接到接触图案的位线。