法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-01
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/31 授权公告日:20060208 终止日期:20150418 申请日:20020418
专利权的终止
2006-02-08
授权
授权
2004-06-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2002-11-27
公开
公开
机译: 制造用于在其中形成有凹入部分的绝缘层上形成含金属元素的层的半导体器件的制造方法,包括其中形成有凹入部分的绝缘层和在其中形成有凹入部分的绝缘层上的半导体层的半导体器件
机译: 具有多栅极绝缘层的半导体器件的制造方法以及由此制造的半导体器件
机译: 具有多栅极绝缘层的半导体器件的制造方法以及由此制造的半导体器件