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利用定向自组装的垂直纳米线晶体管沟道和栅极的图案化

摘要

本发明描述了定向自组装(DSA)材料或二嵌段共聚物,其可能基于一次光刻操作来对最终限定垂直纳米线晶体管的沟道区和栅极电极的特征进行图案化。在实施例中,DSA材料被约束在使用常规光刻技术进行图案化的引导开口内。在实施例中,沟道区和栅极电极材料对准到DSA材料内的分离的区域的边缘。

著录项

  • 公开/公告号CN104798183B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201380060134.6

  • 发明设计人 P·A·尼许斯;S·希瓦库马;

    申请日2013-06-20

  • 分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/027(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人林金朝;王英

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-17

    授权

    授权

  • 2015-08-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20130620

    实质审查的生效

  • 2015-07-22

    公开

    公开

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