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公开/公告号CN104798183B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201380060134.6
发明设计人 P·A·尼许斯;S·希瓦库马;
申请日2013-06-20
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/027(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人林金朝;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 09:55:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-17
授权
2015-08-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20130620
实质审查的生效
2015-07-22
公开
机译: 垂直纳米线晶体管沟道和栅极的定向自组装构图
机译:降低纳米线沟道厚度的双栅极多晶硅纳米线晶体管的性能增强
机译:栅极首先使用金属离子束W的全金属高k P沟道场效应晶体管中栅极诱导的垂直应变引起的空穴迁移率增强
机译:具有蒸发后图案化亚微米肖特基栅极的p型SiGe沟道调制掺杂场效应晶体管
机译:垂直堆叠栅全能Si纳米线CMOS晶体管,减少了垂直纳米线的分离,提供了新的功函数金属栅极解决方案,并且优化了DC / AC性能
机译:短沟道效应抑制和处理双栅极 - 全面Si纳米线晶体管中的过程变异性
机译:具有全方位纳米栅极的垂直硅纳米线场效应晶体管
机译:短沟道四栅极硅纳米线晶体管的量子阈值电压建模
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)