一种堆叠STSCR‑LDMOS的高压ESD保护电路

摘要

本发明提供了一种堆叠STSCR‑LDMOS的高压ESD保护电路，属于电子技术领域。包括1个NLDMOS、1个电阻228和N个STSCR‑LDMOS堆叠单元，所述STSCR‑LDMOS堆叠单元包括一个STSCR‑LDMOS器件和一个触发电阻，其中N≥2，衬底上还有(N+2)个P型重掺杂区作为保护环接地。该电路通过LDMOS的击穿触发堆叠STSCR‑LDMOS，在不提高触发电压的同时，采用堆叠的STSCR提高了维持电压。