公开/公告号CN102759697B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-03
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201210261950.0
发明设计人 王磊;
申请日2012-07-26
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑玮
地址 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:55:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-03
授权
授权
2014-11-05
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20120726
实质审查的生效
2014-06-04
专利申请权的转移 IPC(主分类):G01R 31/26 变更前: 变更后: 登记生效日:20140506 申请日:20120726
专利申请权、专利权的转移
2012-10-31
公开
公开
机译: MOS晶体管,制造MOS晶体管的方法以及制造两个互补MOS晶体管的方法
机译: 一种制造集成MOSFET缺陷晶体管的方法,特别是具有由金属硅化物构成的附加电路级的互补MOS场缺陷晶体管电路。
机译: MOS晶体管,制造MOS晶体管的方法,包括MOS晶体管的CMOS半导体器件以及包括CMOS半导体器件的半导体器件