法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/58 授权公告日:20170419 终止日期:20180313 申请日:20150313
专利权的终止
2017-04-19
授权
授权
2017-04-19
授权
授权
2015-08-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/58 申请日:20150313
实质审查的生效
2015-08-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/58 申请日:20150313
实质审查的生效
2015-07-15
公开
公开
2015-07-15
公开
公开
查看全部
机译: 具有高临界电流密度和高不可逆磁场的基于MgB2的超导体
机译: 具有高转变温度和高临界磁场的有机超导体
机译: 基于具有高临界电流密度的mgb2超导体及其制造方法