公开/公告号CN100354986C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-12-12
原文格式PDF
申请/专利权人 西北有色金属研究院;
申请/专利号CN200510132726.1
申请日2005-12-28
分类号H01B12/00(20060101);H01B13/00(20060101);H01L39/12(20060101);H01L39/24(20060101);C01F5/00(20060101);C01B35/04(20060101);
代理机构中国有色金属工业专利中心;
代理人李迎春;王连发
地址 710016 陕西省西安市北关方新村西安市51号箱
入库时间 2022-08-23 09:00:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-12-12
授权
授权
2006-09-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-08-02
公开
公开
机译: 具有高临界电流密度的基于MGB sb 2 / sb的超导体及其制备方法
机译: 具有高临界电流密度的基于MGB sb 2 / sb的超导体及其制备方法
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