首页> 中国专利> 一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置

一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置

摘要

本发明设计了一种半导体激光器芯片残余应力分布测试方法及装置,该装置能够通过无损方法测试半导体激光器芯片残余应力分布,能够广泛应用于半导体激光器封装器件性能的表征,对于提高半导体激光器性能具有非常重要的现实意义。

著录项

  • 公开/公告号CN104236769B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安炬光科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201410538202.1

  • 发明设计人 刘兴胜;王警卫;吴迪;

    申请日2014-10-14

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 710077 陕西省西安市高新区丈八六路56号陕西省高功率半导体激光器产业园

  • 入库时间 2022-08-23 09:54:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-12

    授权

    授权

  • 2016-12-28

    著录事项变更 IPC(主分类):G01L 1/24 变更前: 变更后: 申请日:20141014

    著录事项变更

  • 2015-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01L 1/24 申请日:20141014

    实质审查的生效

  • 2014-12-24

    公开

    公开

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