GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管材料及方法

摘要

本发明是GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管半导体材料的外延结构及方法，其结构是半绝缘GaAs衬底上是GaAs缓冲层（2）；缓冲层上是第一势垒层（3）；第一势垒层上是第一平面掺杂层（4）；第一平面掺杂层上是第一隔离层（5）；第一隔离层上是沟道层（6）；沟道层上是第二隔离层（7）；第二隔离层上是第二平面掺杂层；第二平面掺杂层（8）上是第二势垒层（9）；第二势垒层上是接触层（10）。优点：1）由于在势阱生长过程中采用交替生长超晶格结构，消除了应变弛豫，可以增加势阱中InGaAs势阱中In的组分；2）In组分增加能够明显增加势阱中二维电子气限制效应；3）In含量的增加直接增加了PHEMT材料迁移率。