制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管

摘要

公开一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)以电绝缘的栅极绝缘层(2)，在所述栅极绝缘层(2)上沉积第一有机半导体层(3)，在所述第一有机半导体层(3)上产生第一电极(4)和分配给所述第一电极(4)以电绝缘的电极绝缘层(5)，在所述第一有机半导体层(3)和所述电极绝缘层(5)上沉积第二有机半导体层(6)，和在所述第二有机半导体层(6)上产生第二电极(7)，其中在所述第一有机半导体层(3)上产生所述第一电极(4)和所述电极绝缘层(5)的所述步骤和在所述第二有机半导体层(6)上产生所述第二电极(7)的所述步骤中的至少一个包括分别在所述第一和第二有机半导体层(3、6)上光刻结构化的步骤。另外，提供一种有机场效应晶体管和一种电子开关装置。