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异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为：AlN模板层、Al

1. 异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法 [P] . 中国专利： CN105261668B . 2017.03.29
2. 一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN107863413B . 2019.08.27
3. ENHANCEMENT-MODE TRANSISTOR COMPRISING AN AlGaN/GaN HETEROJUNCTION AND A P-DOPED DIAMOND GATE [P] . 美国专利： US2018182878A1 . 2018-06-28

机译：包含AlGaN / GaN异质结和P掺杂金刚石门的增强型晶体管
4. ALGAN/GAN HETEROJUNCTION HEMT DEVICE COMPATIBLE WITH SI-CMOS PROCESS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR [P] . 美国专利： US2020111876A1 . 2020-04-09

机译：兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
5. ALGAN/GAN HETEROJUNCTION HEMT DEVICE COMPATIBLE WITH SI-CMOS PROCESS, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR [P] . 世界知识产权组织专利： WO2019100793A1 . 2019-05-31

机译：兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法