一种基于硅量子点/石墨烯/硅异质结构的光电传感器

摘要

本发明公开了一种基于硅量子点/石墨烯/硅异质结构的光电传感器，该光电传感器自下而上依次有底电极、n型硅衬底和二氧化硅隔离层，二氧化硅隔离层上开有窗口，窗口内n型硅基体暴露出来，二氧化硅隔离层上设有顶电极，顶电极上叠盖有单层石墨烯和硅量子点薄膜层，单层石墨烯与窗口内的n型硅基体接触形成石墨烯/硅肖特基结。本发明的光电传感器是在肖特基结构基础上的优化和改进，除了具有肖特基结本身具有的优点外，还利用硅量子点作为响应增大层，能有效提高器件在整个波段的响应度，尤其是紫外和可见部分的响应度，解决了传统硅基PIN结对紫外光探测响应低的问题。该探测器在极低的反向偏压下即可工作，是一种应用前景可观的低能耗器件。