公开/公告号CN1246888C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-03-22
原文格式PDF
申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;
申请/专利号CN00819817.9
发明设计人 W·H·穆利;
申请日2000-08-14
分类号H01L21/311(20060101);H01L21/3213(20060101);H01L21/306(20060101);G06F7/42(20060101);B08B7/00(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人邹光新;梁永
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 08:58:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-10-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/311 授权公告日:20060322 终止日期:20130814 申请日:20000814
专利权的终止
2006-03-22
授权
授权
2004-01-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-11-05
公开
公开
机译: 使用超临界二氧化碳工艺去除半导体衬底上的CMP残留物
机译: 使用超临界二氧化碳工艺去除半导体衬底上的CMP残留物
机译: 使用超临界二氧化碳工艺从基质中去除光致抗蚀剂和残留物。