超臨界二酸化炭素処理技術のフォトリソグラフィへの応用と微小レジストパターンの密着強度への影響

摘要

半導体デバイスやMEMSの微細加工技術の基盤となっているフォトリソグラフィ技術では現像・洗浄などのウェットプロセスが欠かせない。しかし，半導体集積回路の急速な高密度化によって溶媒の表面張力の影響が無視できなくなり，ウェットプロセスは次第に困難となってきている。