化学气相沉积反应器过程室清洁方法

摘要

该发明涉及一种清洁CVD‑反应器(1)的过程室(4)的方法，该过程室具有一个由加热装置(7)加热的基座(6)作为过程室底部(5)和一个与过程室底部(5)对置的过程室盖罩(3)，在CVD过程中在过程室底部(5)和过程室盖罩(3)上形成的寄生覆层通过借助加热装置(7)加热基座(6)并在两个相继的清洁步骤中输入腐蚀气体加以清除。为了有效地实施清洁步骤，建议在第一清洁步骤中在第一清洁温度下主要对过程室底部(5)进行清洁，接着将基座(6)从过程室中取出，然后在第二清洁步骤中在第二清洁温度下清洁过程室盖罩(3)。