法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-01
授权
授权
2014-10-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/105 申请日:20131209
实质审查的生效
2014-10-01
公开
公开
机译: 用于制造具有掩埋扩散电介质结构和增加的栅极耦合比的浮栅存储器件的装置和相关方法
机译: 通过原子层沉积(ALD)制造具有氮化物/高k /氮化物栅极电介质堆叠的半导体器件的方法以及由此形成的器件
机译: 在栅极下方的位于栅极电介质侧的间隙处具有电荷存储层的存储器件的制造方法