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一种超疏水的金字塔‑硅纳米线复合陷光结构及其制备方法

摘要

一种超疏水的金字塔‑硅纳米线复合陷光结构及其制备方法,属于太阳能电池领域。硅片表面的清洁,利用碱性刻蚀在其表面制备金字塔结构,利用化学反应还原原理在硅片表面沉积非连续的贵金属颗粒,利用贵金属颗粒作为催化剂刻蚀制备硅纳米线进而获得金字塔‑硅纳米线复合双结构,利用氟硅烷对复合结构表面进行化学修饰获得超疏水性能。在可见光范围内,其表面反射率降低到4%以下,且经过表面化学修饰后,表面接触角大于150°。

著录项

  • 公开/公告号CN103500769B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201310412715.3

  • 申请日2013-09-11

  • 分类号H01L31/055(20140101);H01L31/18(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张慧

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 09:51:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-01

    授权

    授权

  • 2014-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/055 申请日:20130911

    实质审查的生效

  • 2014-01-08

    公开

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