首页> 中国专利> 一种深硅通孔刻蚀装置及其刻蚀方法

一种深硅通孔刻蚀装置及其刻蚀方法

摘要

一种深硅通孔刻蚀装置,所述刻蚀装置包括:一个反应腔,所述反应腔连接到反应气体供应装置,所述反应气体供应装置供应的反应气体通过反应腔上的一个排气口排出,所述排气口上还包括一个排气阀门,一个控制装置控制所述深硅通孔刻蚀装置在多个刻蚀周期之间循环,每个刻蚀周期包括至少一个刻蚀步骤和一个沉积步骤,所述控制装置同时控制所述排气阀门的开度以控制反应腔内的气压,其特征在于所述多个刻蚀周期中排气阀门的开度随刻蚀深度的增加而增加。

著录项

  • 公开/公告号CN103745945B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中微半导体设备(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201310573371.4

  • 发明设计人 黄秋平;许颂临;严利均;辛朝焕;

    申请日2013-11-15

  • 分类号H01L21/67(20060101);H01J37/32(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人王洁

  • 地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

  • 入库时间 2022-08-23 09:51:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-05

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/67 变更前: 变更后: 申请日:20131115

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2017-02-15

    授权

    授权

  • 2017-02-15

    授权

    授权

  • 2014-05-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20131115

    实质审查的生效

  • 2014-05-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20131115

    实质审查的生效

  • 2014-04-23

    公开

    公开

  • 2014-04-23

    公开

    公开

查看全部

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号