公开/公告号CN103426750B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201210162934.6
申请日2012-05-24
分类号
代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人张静洁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:51:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-15
授权
授权
2014-08-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3213 申请日:20120524
实质审查的生效
2014-05-14
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/3213 变更前: 变更后: 登记生效日:20140421 申请日:20120524
专利申请权、专利权的转移
2013-12-04
公开
公开
机译: 金属线蚀刻剂以及使用该金属线蚀刻剂形成金属线的方法
机译: 半导体器件中的金属线形成方法,包括执行蚀刻工艺以形成金属熔丝,该金属熔丝的一侧连接到金属线,另一侧连接到衬底,并且将金属线和金属熔丝电隔离。
机译: 通过一个沉积过程和蚀刻过程制造金属线的方法,该金属线能够形成金属塞和金属线