机译:高/ spl kappa /电介质的HCl沉积后清洗后的迁移率改善:双金属栅极湿法蚀刻中的潜在问题工艺技术
MOSFET; coating techniques; dielectric thin films; electron mobility; hole traps; organic compounds; sputter etching; surface cleaning; HCl post-deposition cleaning; Hf-silicate MOSFET; bulk trapping immunity; charge trapping; circuit mobility; deionized water; dilute;
机译:具有多晶硅栅电极的双高/ spl kappa /栅极电介质:nMOS上的HfSiON和pMOS上的Al / sub 2 / O / sub 3 /覆盖层
机译:使用脉冲I / sub d / -V / sub g /对高/ spl kappa /栅极介电晶体管的本征迁移率评估
机译:高/ splκ/栅极电介质和金属栅电极对100nm以下MOSFET的影响
机译:高k沉积后清洗对改善CMOS偏置不稳定性和迁移率的影响:双金属栅技术可靠性中的潜在问题
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:用于高迁移率溶液处理的金属氧化物薄膜晶体管的频率稳定离子型混合栅极电介质
机译:用于高迁移率溶液加工金属氧化物薄膜晶体管的频率稳定离子型混合栅极电介质