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提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法

摘要

本发明涉及一种提高多层布线通孔光刻工艺容宽的方法,其特征是,包括以下工艺步骤:(1)根据圆片上高、低台阶的图形制作第一通孔版和第二通孔版;(2)在需要进行通孔光刻的圆片表面涂上光刻胶;(3)采用第一通孔版对高台阶部位进行曝光,高台阶部位的光刻孔均处于同一高度、与焦距位置f1一致,曝光后尺寸一致性较好;(4)采用第二通孔版对低台部位进行曝光,低台阶部位的光刻孔均处于同一高度、与焦距位置f2一致,曝光后一致性较好;(5)显影后分别在圆片的高台阶部位和低台阶部位形成光刻孔图形,经过腐蚀形成所需的光刻孔。本发明提高了光刻孔光刻工艺容宽,保证光刻孔光刻工艺的稳定性和可重复性。

著录项

  • 公开/公告号CN103681479B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡中微晶园电子有限公司;

    申请/专利号CN201310700465.3

  • 发明设计人 张世权;

    申请日2013-12-18

  • 分类号

  • 代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人曹祖良

  • 地址 214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室

  • 入库时间 2022-08-23 09:51:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-08

    授权

    授权

  • 2014-04-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20131218

    实质审查的生效

  • 2014-03-26

    公开

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